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未来几年我国面对下游旺盛的需求新型电子元器件行业应提升技术水平扩大产能应对市场需求。第四节新型电子元器件进出口数据分析一、我国新型电子元器件进出口数据分析1、进口分析图表：2015-2017年1-10月我国新型电子元器件进口统计数据来源：中国海关总署、中研普华数据整理注：新型电子元器件海关代码为，从海关公布的信息来看我国新型电子元器件进口量呈现平稳态势没有大幅波动现象出现。2、出口分析图表：2015-2017年1-10月我国新型电子元器件出口统计数据来源：中国海关总署、中研普华数据整理从进出口数据不难看出我国是新型电子元器件出口大国出口量及金额都远高于进口数量，这从侧面反映出我国新型电子元器件在国际市场占有的地位。二、2018-2023年国内新型电子元器件产品进出口情况预测1、进口预测我国近几年新型电子元器件已经从技术上慢慢实现了追赶，在未来几年进口量还将进一步提高，随着国产化需求的增强，及自身生产产能及生产技艺的提升未来进口上可能增幅会有所回落，但是受我国近几年下游需求旺盛影响，短期内进口大幅回落的可能性较低，主要原因也是国内现有产能不足以完全满足下游发展。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司。上海上电子元器件回收网

我们会不定期更新电子元器件行业与产品的相关资讯，期待您的关注！主要跟大家聊一聊电子元器件的主要详细分类一、元件是指工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件，元件属于不需要外部能源的器件。它包括：电阻、电容、电感。(又称为被动元件PassiveComponents)电子元器件元件分为：1、电路类元件：二极管，电阻器等等2、连接类元件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)二、器件是指工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品称为器件器件分为：1、主动器件，它的主要特点是：(1)自身消耗电能(2)需要外界电源。2、分立器件，分为(1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅(4)半导体电阻电容电阻电阻在电路中用"R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等.电容电容在电路中一般用"C"加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.电容的容量大小表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗。

应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。D）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。E）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。

并加入粘结剂制成的，型号中有RS标志。此类电阻器具有在成本低的优势，但其阻值误差相对较大，稳定性差。此类电阻器常用于在早期的电子管收音机中，在现在的电器中应用较为罕见。（这也是老锅为啥只能放个示意图的原因，淘宝上都找不到）薄膜电阻器此类电阻器是采用蒸发的方法，将碳或某些合金镀在瓷管的表面制成的。其中，碳膜电阻器的型号中有RT标志或RTX标志，是电子制作中为常见的电阻器，具有成本低、电压稳定性好的优势，其劣势在于允许的额定功率较小。金属膜电阻器型号有RJ标志，在表面通常涂以红色或棕色漆，具有精度高、热稳定性好的优势，额定功率相同的条件下，金属膜电阻器的体积通常只有碳膜电阻器的二分之一左右。线绕电阻器线绕电阻器是用镍铬或锰铜合金电阻丝绕在绝缘支架上支撑的，在表面通常涂有绝缘漆或耐热釉层，型号中有RX标志。其主要优势是精度高，热稳定性好，可承受较大的功率，劣势在于价格贵，不易得到高阻值。2.电阻器的主要参数电阻器的主要技术参数包括标称阻值、允许偏差和额定功率。标称阻值阻值的基本单位是欧姆，用希腊字母Ω来表示。为适应不同应用场景的具体需求，国家规定了一系列的电阻值作为产品标准。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，欢迎您的来电！

MSD主要指非气密性（Non-Hermetic）SMD器件，包括塑料封装器件、其他透水性聚合物封装（环氧、有机硅树脂等）器件。一般IC、芯片、电解电容、LED等都属于非气密性SMD器件。J-STD-020给出了元器件潮湿敏感等级（MoistureSensitivityLevel，MSL）划分，IPC-M190J-STD-033则针对潮湿敏感元器件（MSD）问题提出了传输、包装、运送及应用方面的建议和要求。元器件湿度敏感等级如表11所示。表11元器件湿度敏感等级表11中部分名词含义：①MBB：MoistureBarrierBag，即防潮真空包装袋，该袋同时要考虑ESD保护。②HIC：HumidityIndicatorCard，即湿度显示卡，显示包装袋内的潮湿程度，一般有若干圆圈，分别相对湿度10%、20%、30%等，各圆圈内原色为蓝色，当某圆圈内由蓝色变为紫红色时，则表明袋内已达到该圆圈对应的相对湿度；当某圆圈内再由紫红色完全变为淡红色时，则表明袋内已超过该圆圈对应的相对湿度。若湿度显示超过30%，即30%的圆圈内HIC卡颜色完全变成了淡红色，表明生产前需要进行烘烤。③警告标签：WarningLabel，即防潮包装袋外的含MSIL（MoistureSensitiveIdentificationLabel）符号、芯片的潮湿敏感等级。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，竭诚为您服务。吉林批量电子元器件回收厂家

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由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕。上海上电子元器件回收网

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